一、项目建设背景

碳化硅因其宽带隙技术脱颖而出，是目前发展最成熟的半导体材料。与传统硅基器件相比，碳化硅的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机等高压应用。此外，碳化硅可用于制造LED，在汽车尤其是电动汽车车载充电装置领域发展空间巨大。

中车株洲所的IGBT模块成功进入智能电网领域，中车株洲所启动技改项目，计划建设年产50万只中低压IGBT模块封装线，主要用于电动汽车领域，为发展SiC材料应用产业提供了很好的基础。

二、项目前期工作

已完成前期调研工作。

三、项目建设内容及规模

项目建设用地约500亩，计划用 3 年时间，建成碳化硅材料产业基地和三代半导体技术创新中心。

四、项目总投资

项目拟投资25亿元。

五、项目效益分析

预计项目达产年投资利润率可达20%。

六、项目合作方式

独资。

七、招商联系电话：18610884067（微信号相同）