二、第三代半導體材料產業鏈之氮化鎵

氮化鎵作為第三代半導體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，下游應用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED 照明等)。不過，第三代半導體材料中，受技術與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實現規模化應用仍面臨挑戰，其應用主要是以藍寶石、硅晶片或碳化硅晶片為襯底，通過外延生長氮化鎵以制造氮化鎵器件。

根據該期刊論文援引Yole的預測，2020年末，GaN射頻器件市場規模將達到7.5億美元，年均復合增長率20%。目前氮化鎵器件已應用于5G通信基站射頻收發單元、消費類電子快速充電器、電動汽車充電機OBC等領域。

資料來源：國泰君安

（一）LED領域

其中LED領域占比達70%。隨著LED芯片技術和制程持續更新迭代，LED照明產品的發光效率、技術性能、產品品質、成本經濟性不斷大幅提升；再加上產業鏈相關企業和投資不斷增多，LED光源制造和配套產業的生產制造技術不斷升級，終端產品規模化生產的成本經濟性進一步提高，目前LED照明產品已成為家居照明、戶外照明、工業照明、商業照明、景觀亮化、背光顯示等應用領域的主流應用，LED照明產品替代傳統照明產品的市場滲透率不斷提升，市場需求持續增長。

根據國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）的統計，中國LED照明產品國內市場滲透率（LED照明產品國內銷售數量/照明產品國內總銷售數量）由2012年的3.3%快速提升至2018年的70%，遠超全球平均水平。

數據來源：國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、中商產業研究院整理

中國是LED照明產品最大的生產制造國，隨著國內LED照明市場滲透率快速攀升至七成以上，LED照明已基本成為照明應用的剛需，國內的LED照明市場規模呈現出較全球平均水平更快的增長勢頭。根據高工產研LED研究所（GGII）的統計，中國LED照明市場產值規模由2015年的2596億元增長到2018年的4155億元，年均復合增長率達到16.97%，增速高于全球平均水平。預計到2021年，中國LED照明市場產值有望達到5900億元，2019-2021年仍有望能保持超過12%的年均復合增長水平。

數據來源：國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、中商產業研究院整理

（二）5G基站領域

目前采用氮化鎵的微波射頻器件主要用于軍事領域、4G/5G 通訊基站等，由于涉及軍事安全，國外對高性能氮化鎵器件實行對華禁運。因此，發展自主氮化鎵射頻功放產業，有助于打破國外壟斷，實現自主可控。2020年8月17日，在“點亮深圳，5G智慧之城”發布會上，深圳市市長陳如桂正式宣布深圳市實現5G獨立組網全覆蓋，深圳率先進入5G時代。截至8月14日，深圳已建成46480個5G基站，截至7月26日，深圳已建成5G基站4.5萬個，提前一個月完成深圳此前8月底前完成4.5個5G基站建設的目標。目前，深圳5G產業規模、5G基站和終端出貨量全球第一。

從全國各省市最新公布的5G基站建設計劃來看，據不完全統計，此前已有29個省市公布了2020年5G基站建設計劃。廣東5G大提速，2020年建設6萬座5G基站。從廣東省政府新聞辦舉行第49場疫情防控新聞發布會,省工業和信息化廳副廳長楊鵬飛表示，2020年將全面加速5G網絡建設，爭取年內建設6萬座5G基站，全省5G用戶數量達到2000萬。預計2020年，以5G基站和數據中心為代表的新型信息基礎設施投資會超過500億元。以下是全國各省市2020年5G基站建設計劃情況：

數據來源：中商產業研究院整理

（三）光伏領域

GaN和SiC器件進入光伏市場，將為小型系統帶來更大的競爭優勢，主要包括：更低的均化電力成本，提升通過租賃和電力購買協議而銷售的電能利潤。此外，這些器件還能改善性能和可靠性。據北極星太陽能光伏網援引研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體――即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元。

近年來，全球光伏新增裝機容量規模持續增加。盡管中國受“531光伏新政”影響，2018年和2019年國內的光伏新增裝機容量下滑，但得益于印度、墨西哥等新興光伏市場的快速發展，以及歐洲市場復蘇。隨著光伏技術提升，光伏發電成本不斷降低，未來光伏發電具有廣闊的增長空間。光伏支架作為光伏電站的關鍵設備之一，將隨著全球光伏電站新增裝機容量的增長而增長。2020年1-2季度全國新增光伏發電裝機1152萬千瓦。

數據來源：國家能源局、中商產業研究院整理