行業技術特點
隨著終端產品的整體技術水平要求越來越高，功率半導體分立器件技術也在市場的推動下不斷向前發展，CAD設計、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進工藝技術已應用到分立器件生產中，行業內產品的技術含量日益提高、制造難度也相應增大。
目前日本和美國等發達國家的功率器件領域，很多VDMOS（功率場效應管）、IGBT產品已采用VLSI（超大規模集成電路）的微細加工工藝進行制作，生產線已大量采用8英寸、0.18微米工藝技術，大大提高了功率半導體分立器件的性能。
未來發展趨勢
1.新產品、新材料不斷涌現，不斷拓展新的應用領域
當前半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。
SiC、GaN等半導體材料屬于新興領域，具有極強的應用戰略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區已經實現SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。新材料半導體的涌現將不斷提升半導體器件的性能，使得產品能夠滿足更多應用領域的需求。
2.小型化、模塊化、系統化程度不斷提升
未來伴隨著移動智能終端、5G網絡、物聯網、新能源、AR/VR等新興行業的發展，新型半導體分立器件將不斷涌現，在替代原有市場應用的同時，將持續開拓新興應用領域。同時，為了使現有半導體分立器件能適應市場需求的快速變化，需要采用新技術、開發新的應用材料、繼續優化完善結構設計、制造工藝和封裝技術等，提高器件的性能。
此外，下游電子信息產品小型化、智能化發展趨勢，必然要求內嵌其中的半導體分立器件等關鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化。為適應整機裝配效率和提高整機性能可靠性、穩定性的要求，半導體分立器件將趨于體積小型化、組裝模塊化、功能系統化。
3.產業鏈屬性決定IDM將成為主流發展模式
由于分立器件在投資規模方面采用IDM模式具備經濟效益上的較強可行性，同時半導體分立器件的產品設計和生產工藝都對產品性能產生較大影響，對企業設計與工藝結合能力要求較高，業內領先企業一般沿著原有業務進行產業鏈延伸，逐步完善IDM模式發展。
分立器件行業發展IDM模式有兩種典型路徑：一類是以芯片技術為基礎的公司，該類企業通常在特定品種的分立器件擁有較強的競爭優勢，為客戶提供自主芯片對應的分立器件，在發展過程中逐步補強封測技術和產能。另一類是以封測技術為基礎的公司，該類企業具備“多品種、多規格”的產品系列，可以為客戶提供“一站式”采購服務，在發展過程中不斷發展芯片技術和產能。
更多資料請參考中商產業研究院發布的《中國半導體行業市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產業研究院還提供產業大數據、產業情報、產業研究報告、產業規劃、園區規劃、十四五規劃、產業招商引資等服務。
如發現本站文章存在版權問題，煩請聯系editor@askci.com我們將及時溝通與處理。
2016-2021年中國半導體市場前景及投資機會研究報告
2016-2021年中國半導體釉市場前景及投資機會研究報告
2021-2025年中國通信設備制造業深度分析及發展戰略研究預測報告
2022年中國光伏焊帶產業鏈上中下游市場預測分析（附產業鏈全景圖）
