二、上游分析
1.碳化硅器件成本占比
在碳化硅器件的制造成本結構中,襯底成本通常占據最大比例,占比可達47%,其次是外延成本,占比約23%,這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分,它們的制備難度非常大,技術以及成本也非常高。此外,前段和研發費用也是成本結構中的重要部分,分別占比19%和6%左右。
數據來源:中商產業研究院整理
2.碳化硅襯底
碳化硅襯底具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點,可有效突破傳統硅基半導體器件及其材料的物理極限,開發出更適應高壓、高溫、高功率、高頻等條件的新一代半導體器件。中商產業研究院發布的《2024-2029年中國碳化硅襯底行業市場前景預測與發展趨勢研究報告》顯示,2023年全球導電型和半絕緣型碳化硅襯底的市場規模分別達到6.84億美元和2.81億美元。中商產業研究院分析師預測,2024年全球市場規模將分別達到9.07億美元和3.26億美元。
數據來源:Yole、中商產業研究院整理
碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)等規格,碳化硅襯底正不斷向大尺寸的方向發展。目前行業內企業主要量產產品尺寸集中在4英寸及6英寸,8英寸處于研發階段。碳化硅襯底材料制備具有極高的技術門檻,目前能夠規模化供應高品質、車規級碳化硅襯底的企業數量較少。從行業競爭格局來看,在2023年全球導電型碳化硅襯底材料市場占有率排行中,中國天岳先進(SICC)超過美國Coherent,躍居全球第二,天科合達(TankeBlue)市場份額位列第四。
資料來源:中商產業研究院整理